onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej RFD14N05LSM9A

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 39,12

(ekskl. moms)

Kr. 48,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 5.460 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 3,912Kr. 39,12
100 - 240Kr. 3,373Kr. 33,73
250 - 490Kr. 2,925Kr. 29,25
500 - 990Kr. 2,566Kr. 25,66
1000 +Kr. 2,341Kr. 23,41

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
761-3565
Producentens varenummer:
RFD14N05LSM9A
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14A

Drain source spænding maks. Vds

50V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

100mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

10 V

Effektafsættelse maks. Pd

48W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

40nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Længde

6.73mm

Højde

2.39mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links