onsemi N-Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 761-3565
- Producentens varenummer:
- RFD14N05LSM9A
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 42,94
(ekskl. moms)
Kr. 53,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.720 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,294 | Kr. 42,94 |
| 100 - 240 | Kr. 3,695 | Kr. 36,95 |
| 250 - 490 | Kr. 3,201 | Kr. 32,01 |
| 500 - 990 | Kr. 2,82 | Kr. 28,20 |
| 1000 + | Kr. 2,566 | Kr. 25,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-3565
- Producentens varenummer:
- RFD14N05LSM9A
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Portkildespænding maks. | -10, +10V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Portkildespænding maks. -10, +10V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.