onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 50 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MegaFET
- RS-varenummer:
- 761-3574
- Producentens varenummer:
- RFD16N05LSM9A
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 43,61
(ekskl. moms)
Kr. 54,51
(inkl. moms)
Tilføj 70 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 1.455 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 8,722 | Kr. 43,61 |
| 50 - 95 | Kr. 7,524 | Kr. 37,62 |
| 100 - 495 | Kr. 6,522 | Kr. 32,61 |
| 500 - 995 | Kr. 5,73 | Kr. 28,65 |
| 1000 + | Kr. 5,222 | Kr. 26,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-3574
- Producentens varenummer:
- RFD16N05LSM9A
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Serie | MegaFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 47mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Serie MegaFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 47mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
MegaFET processen, som bruger funktionsstørrelser, der nærmer sig LSI integrerede kredsløb, giver optimal udnyttelse af silicium, hvilket resulterer i fremragende ydelse.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 16 A 50 V Forbedring TO-252, MegaFET
- onsemi N-Kanal 16 A 50 V DPAK (TO-252), MegaFET RFD16N05SM9A
- onsemi Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-220, MegaFET
- onsemi Type N-Kanal 14 A 50 V Forbedring TO-252
- onsemi Type N-Kanal 45 A 40 V Forbedring TO-252
- onsemi Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TO-252
- onsemi Type N-Kanal 10 A 100 V Forbedring TO-252, QFET
- onsemi Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-252, QFET