onsemi 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 2.7 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench

Se alle MOSFET
Få rabat ved storkøb

Tilføj 100 flere for at gemme 25%

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 31,66

(ekskl. moms)

Kr. 39,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 680 enhed(er) afsendes fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
Besparelse
10 - 90Kr. 3,166Kr. 31,66-
100 - 490Kr. 2,365Kr. 23,6525%
500 - 990Kr. 1,855Kr. 18,5541%
1000 - 2990Kr. 1,501Kr. 15,0152%
3000 +Kr. 1,257Kr. 12,5760%

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
761-3947
Producentens varenummer:
FDC6305N
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.7A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

128mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

960mW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.5nC

Portkildespænding maks.

-8V, +8V

Gennemgangsspænding Vf

770mV

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3mm

Bredde

1.7mm

Højde

1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

FDC6305N er et N-Channel MOSFET med en lav tærskel. Den er designet med PowerTrach®-teknologi og kan prale med at minimere modstand i tilstanden og lav gate-opladning, hvilket giver overlegen switching-ydeevne.

Egenskaber og fordele:


• Lavt bagklapladning

• Hurtigt skift af hastighed

• PowerTrench®-teknologi

• Meget lille plads. 72% mindre end en SO08.

FDC6305N anvendes typisk til disse anvendelser;

• Belastningskontakt

• DC/DC konvertere

• Motor Kørsel

PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.