onsemi 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 2.7 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 761-3947
- Producentens varenummer:
- FDC6305N
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 31,66
(ekskl. moms)
Kr. 39,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 6.780 enhed(er) afsendes fra 23. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,166 | Kr. 31,66 |
| 100 - 490 | Kr. 2,365 | Kr. 23,65 |
| 500 - 990 | Kr. 1,855 | Kr. 18,55 |
| 1000 - 2990 | Kr. 1,501 | Kr. 15,01 |
| 3000 + | Kr. 1,257 | Kr. 12,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-3947
- Producentens varenummer:
- FDC6305N
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 128mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 960mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.77V | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 128mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 960mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.77V | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.7mm | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
FDC6305N er et N-Channel MOSFET med en lav tærskel. Den er designet med PowerTrach®-teknologi og kan prale med at minimere modstand i tilstanden og lav gate-opladning, hvilket giver overlegen switching-ydeevne.
Egenskaber og fordele:
• Lavt bagklapladning
• Hurtigt skift af hastighed
• PowerTrench®-teknologi
• Meget lille plads. 72% mindre end en SO08.
FDC6305N anvendes typisk til disse anvendelser;
• Belastningskontakt
• DC/DC konvertere
• Motor Kørsel
PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.