onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 2.7 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench Nej FDC6305N

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 39,57

(ekskl. moms)

Kr. 49,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 7.430 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 3,957Kr. 39,57
100 - 490Kr. 2,955Kr. 29,55
500 - 990Kr. 2,319Kr. 23,19
1000 - 2990Kr. 1,877Kr. 18,77
3000 +Kr. 1,571Kr. 15,71

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
761-3947
Producentens varenummer:
FDC6305N
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.7A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

128mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

960mW

Portkildespænding maks.

8 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.77V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Bredde

1.7 mm

Højde

1mm

Længde

3mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

FDC6305N er et N-Channel MOSFET med en lav tærskel. Den er designet med PowerTrach®-teknologi og kan prale med at minimere modstand i tilstanden og lav gate-opladning, hvilket giver overlegen switching-ydeevne.

Egenskaber og fordele:


• Lavt bagklapladning

• Hurtigt skift af hastighed

• PowerTrench®-teknologi

• Meget lille plads. 72% mindre end en SO08.

FDC6305N anvendes typisk til disse anvendelser;

• Belastningskontakt

• DC/DC konvertere

• Motor Kørsel

PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links