onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, NDT Nej NDT456P

RS-varenummer:: 761-3971
Producentens varenummer:: NDT456P
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, NDT Nej NDT456P

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 66,78

(ekskl. moms)

Kr. 83,475

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 5.950 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 13,356	Kr. 66,78

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 761-3971
Producentens varenummer:: NDT456P
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	7.5A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOT-223
	Serie	NDT
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	54mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	47nC
	Min. driftstemperatur	-65°C
	Effektafsættelse maks. Pd	3W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	6.7mm
	Bredde	3.7 mm
	Højde	1.7mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.5A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOT-223
	Serie NDT
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 54mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC
	Min. driftstemperatur -65°C
	Effektafsættelse maks. Pd 3W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 6.7mm
	Bredde 3.7 mm
	Højde 1.7mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.