onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- RS-varenummer:
- 761-3971P
- Producentens varenummer:
- NDT456P
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 579,00
(ekskl. moms)
Kr. 724,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.845 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 11,58 |
| 100 - 495 | Kr. 10,054 |
| 500 - 995 | Kr. 8,826 |
| 1000 + | Kr. 8,018 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-3971P
- Producentens varenummer:
- NDT456P
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | NDT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 54mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie NDT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 54mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.7mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor
On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.
Egenskaber og fordele:
• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal
• tætpakket celledesign
• høj mætningsstrøm
• overlegent skift
• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne
• DMOS-teknologi
Anvendelsesområder:
• Belastningsskift
• DC/DC-omformer
• Batteribeskyttelse
• Strømstyring
• styring af DC-motor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.