Renesas Electronics N-Kanal, MOSFET, 40 A 200 V, 3 ben, SC-67 2SK3160-E
- RS-varenummer:
- 772-5396P
- Producentens varenummer:
- 2SK3160-E
- Brand:
- Renesas Electronics
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 772-5396P
- Producentens varenummer:
- 2SK3160-E
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 40 A | |
| Drain source spænding maks. | 200 V | |
| Kapslingstype | SC-67 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 190 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 30 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 4.45mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 10mm | |
| Højde | 17mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 40 A | ||
Drain source spænding maks. 200 V | ||
Kapslingstype SC-67 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 190 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2.5V | ||
Effektafsættelse maks. 30 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 4.45mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 10mm | ||
Højde 17mm | ||