Renesas Electronics P-Kanal, MOSFET, 4,2 A 60 V, 4 ben, SC-62 RQJ0601DGDQS#H3

Brand

Renesas Electronics

Kanaltype

P

Drain-strøm kontinuerlig maks.

4,2 A

Drain source spænding maks.

60 V

Kapslingstype

SC-62

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

4

Drain source modstand maks.

210 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

5 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-10 V, +10 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

9,6 nC ved 10 V

Længde

4.5mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Bredde

2.5mm

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

Si

Højde

1.5mm