onsemi N-Kanal, MOSFET, 76 A 80 V Forbedring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 772-9206P
- Producentens varenummer:
- FDMS86300DC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 12 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 272,28
(ekskl. moms)
Kr. 340,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.382 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 12 - 99 | Kr. 22,69 |
| 102 - 249 | Kr. 18,15 |
| 252 - 498 | Kr. 17,553 |
| 501 + | Kr. 15,283 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 772-9206P
- Producentens varenummer:
- FDMS86300DC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -20, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.85mm | |
| Længde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -20, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.85mm | ||
Længde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, over 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.