MPN

onsemi 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 880 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101

RS-varenummer:: 780-0614
Producentens varenummer:: NTJD4158CT1G
Brand:: onsemi

onsemi 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 880 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 25 enheder)*

Kr. 46,075

(ekskl. moms)

Kr. 57,60

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 19. april 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr bånd*
25 - 75	Kr. 1,843	Kr. 46,08
100 - 225	Kr. 1,586	Kr. 39,65
250 - 475	Kr. 1,376	Kr. 34,40
500 - 975	Kr. 1,209	Kr. 30,23
1000 +	Kr. 1,101	Kr. 27,53

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 780-0614
Producentens varenummer:: NTJD4158CT1G
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N, Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	880mA
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SC-88
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	500mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	150°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.9nC
	Gennemgangsspænding Vf	0.65V
	Effektafsættelse maks. Pd	270mW
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Driftstemperatur maks.	-55°C
	Højde	1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	2.2mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N, Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 880mA
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SC-88
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 500mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur 150°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC
	Gennemgangsspænding Vf 0.65V
	Effektafsættelse maks. Pd 270mW
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Driftstemperatur maks. -55°C
	Højde 1mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 2.2mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor

NTJD1155L er et MOSFET med to kanaler. Med både P- og N-kanals i en enkelt pakke er dette MOSFET fremragende til lavt kontrolsignal, lav batterispænding og høj belastningsstrøm. N-kanalen er udstyret med intern ESD-beskyttelse og kan drives af logiske signaler så lavt som 1,5 V, mens P-kanalen er designet til at blive brugt til belastningsskifteopgaver. P-kanalen er også designet med ON semis skytteknologi.

MOSFET-transistorer, ON Semiconductor

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.