onsemi 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 880 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 780-0614P
- Producentens varenummer:
- NTJD4158CT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 161,90
(ekskl. moms)
Kr. 202,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 225 | Kr. 1,619 |
| 250 - 475 | Kr. 1,403 |
| 500 - 975 | Kr. 1,236 |
| 1000 + | Kr. 1,128 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-0614P
- Producentens varenummer:
- NTJD4158CT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 880mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 270mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.65V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 880mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 270mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.65V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Bredde 1.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
NTJD1155L er et MOSFET med to kanaler. Med både P- og N-kanals i en enkelt pakke er dette MOSFET fremragende til lavt kontrolsignal, lav batterispænding og høj belastningsstrøm. N-kanalen er udstyret med intern ESD-beskyttelse og kan drives af logiske signaler så lavt som 1,5 V, mens P-kanalen er designet til at blive brugt til belastningsskifteopgaver. P-kanalen er også designet med ON semis skytteknologi.