STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK, STripFET H7
- RS-varenummer:
- 786-3704P
- Producentens varenummer:
- STH310N10F7-6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 3%
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 690,30
(ekskl. moms)
Kr. 862,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 880 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 34,515 | - |
| 100 - 198 | Kr. 33,445 | 3% |
| 200 + | Kr. 28,985 | 16% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 786-3704P
- Producentens varenummer:
- STH310N10F7-6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 315W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Højde | 4.8mm | |
| Længde | 15.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie STripFET H7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 315W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 10.4mm | ||
Højde 4.8mm | ||
Længde 15.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ H7 serien, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .