STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- RS-varenummer:
- 786-3741P
- Producentens varenummer:
- STL60N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 23%
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 515,10
(ekskl. moms)
Kr. 643,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 245 | Kr. 10,302 | - |
| 250 - 495 | Kr. 7,846 | 23% |
| 500 + | Kr. 6,96 | 32% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 786-3741P
- Producentens varenummer:
- STL60N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 950μm | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 950μm | ||
Bredde 6.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ H7 serien, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .