Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-89-6, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 787-9055P
- Producentens varenummer:
- SI1029X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 642,60
(ekskl. moms)
Kr. 803,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.360 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 200 - 480 | Kr. 3,213 |
| 500 - 980 | Kr. 2,91 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,738 |
| 2000 + | Kr. 2,566 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9055P
- Producentens varenummer:
- SI1029X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SC-89-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 750nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.6mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SC-89-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 750nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.6mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Bredde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||