STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, STripFET V
- RS-varenummer:
- 791-7876P
- Producentens varenummer:
- STR2N2VH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 322,70
(ekskl. moms)
Kr. 403,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 3,227 |
| 500 - 990 | Kr. 2,587 |
| 1000 - 2990 | Kr. 2,303 |
| 3000 + | Kr. 2,086 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-7876P
- Producentens varenummer:
- STR2N2VH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | STripFET V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.3mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie STripFET V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.3mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .