STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 2.5 A 1.5 kV Forbedring, 3 Ben, H2PAK, MDmesh
- RS-varenummer:
- 792-5861P
- Producentens varenummer:
- STH3N150-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 150,00
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 932,80
(ekskl. moms)
Kr. 1.166,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 922 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 46,64 | - |
| 100 - 198 | Kr. 45,14 | Kr. 150,00 |
| 200 + | Kr. 39,12 | Kr. 1.504,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 792-5861P
- Producentens varenummer:
- STH3N150-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.5kV | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.8mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 15.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.5kV | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.8mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 15.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||