Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 4 Ben, SOT-669
- RS-varenummer:
- 798-2906
- Producentens varenummer:
- PSMN1R2-30YLC,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 67,02
(ekskl. moms)
Kr. 83,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 13.415 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,404 | Kr. 67,02 |
| 50 - 120 | Kr. 12,282 | Kr. 61,41 |
| 125 - 245 | Kr. 11,638 | Kr. 58,19 |
| 250 - 495 | Kr. 10,606 | Kr. 53,03 |
| 500 + | Kr. 9,784 | Kr. 48,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 798-2906
- Producentens varenummer:
- PSMN1R2-30YLC,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-669 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 215W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 78nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-669 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 215W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel MOSFET, op til 30 V.
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 37 A 30 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 46 A 40 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 91 A 30 V Forbedring SOT-669