Nexperia N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 798-2930
- Producentens varenummer:
- PSMN2R7-30PL,127
- Brand:
- Nexperia
Få rabat ved storkøb
Tilføj 40 flere for at gemme 7%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 89,53
(ekskl. moms)
Kr. 111,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Sidste 60 enhed(er) afsendes fra 16. november 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 4 - 36 | Kr. 22,383 | Kr. 89,53 | - |
| 40 - 96 | Kr. 20,593 | Kr. 82,37 | 7% |
| 100 + | Kr. 19,37 | Kr. 77,48 | 13% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 798-2930
- Producentens varenummer:
- PSMN2R7-30PL,127
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 700mV | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 16mm | |
| Længde | 10.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gennemgangsspænding Vf 700mV | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 16mm | ||
Længde 10.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel MOSFET, op til 30 V.
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TO-220
- Nexperia Enkelt N-Kanal 100 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB
- Nexperia N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-220
- Nexperia N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220
- Nexperia N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-220
- Nexperia N-Kanal 90 A 80 V Forbedring TO-220
- Nexperia N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TO-220
- Nexperia N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-220