IXYS N-Kanal, MOSFET, 30 A 500 V, 3 ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class IXFH30N50Q3

RS-varenummer:: 801-1386P
Producentens varenummer:: IXFH30N50Q3
Brand:: IXYS

IXYS N-Kanal, MOSFET, 30 A 500 V, 3 ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class IXFH30N50Q3

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres i Rør)

Kr. 90,58

(ekskl. moms)

Kr. 113,22

(inkl. moms)

Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Enheder	Pr stk.
6 - 14	Kr. 83,18
15 +	Kr. 78,99

RS-varenummer:: 801-1386P
Producentens varenummer:: IXFH30N50Q3
Brand:: IXYS

IXFT30N50Q3, IXFH30N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	30 A
Drain source spænding maks.	500 V
Kapslingstype	TO-247
Serie	HiperFET, Q3-Class
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	200 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	6.5V
Effektafsættelse maks.	690 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Antal elementer per chip	1
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Længde	16.26mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	62 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Bredde	5.3mm
Højde	16.26mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

IXYS N-Kanal, MOSFET, 30 A 500 V, 3 ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class IXFH30N50Q3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien