IXYS N-Kanal, MOSFET, 32 A 800 V Forbedring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class
- RS-varenummer:
- 801-1496P
- Producentens varenummer:
- IXFX32N80Q3
- Brand:
- IXYS
Indhold 1 enhed (leveres i et rør)*
Kr. 230,75
(ekskl. moms)
Kr. 288,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 230,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 801-1496P
- Producentens varenummer:
- IXFX32N80Q3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 32A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | PLUS247 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 270mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 140nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1kW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 21.34mm | |
| Bredde | 5.21mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 32A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype PLUS247 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 270mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 140nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1kW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 21.34mm | ||
Bredde 5.21mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien
IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.
Hurtig, egensikker ensretterdiode
Lav RDS (til) og QG (portopladning)
Lav egensikker portmodstand
Huse i industristandard
Lav pakkeselvinduktion
Høj effekttæthed
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS