IXYS N-Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
- RS-varenummer:
- 802-4360
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-316
- Producentens varenummer:
- IXFH26N50P3
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 72,11
(ekskl. moms)
Kr. 90,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 51 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 5 | Kr. 72,11 |
| 6 - 14 | Kr. 66,95 |
| 15 + | Kr. 63,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 802-4360
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-316
- Producentens varenummer:
- IXFH26N50P3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 240mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.46mm | |
| Længde | 16.26mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 240mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.46mm | ||
Længde 16.26mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien
Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS N-Kanal 26 A 500 V Forbedring TO-247 Polar3
- IXYS N-Kanal 16 A 500 V Forbedring TO-247 Polar3
- IXYS N-Kanal 60 A 500 V Forbedring TO-247 Polar3
- IXYS N-Kanal 34 A 500 V Forbedring TO-247 Polar3
- IXYS N-Kanal 26 A 500 V Forbedring TO-3P Polar3
- IXYS N-Kanal 26 A 500 V Forbedring TO-220 Polar3
- IXYS N-Kanal 94 A 300 V Forbedring TO-247 Polar3
- IXYS N-Kanal 22 A 600 V Forbedring TO-247 Polar3