IXYS N-Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar3
- RS-varenummer:
- 802-4427P
- Producentens varenummer:
- IXFP22N60P3
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 542,30
(ekskl. moms)
Kr. 677,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 292 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 38 | Kr. 27,115 |
| 40 - 98 | Kr. 24,495 |
| 100 - 498 | Kr. 21,355 |
| 500 + | Kr. 21,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 802-4427P
- Producentens varenummer:
- IXFP22N60P3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 16mm | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 16mm | ||
Bredde 4.83mm | ||
Længde 10.66mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien
Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS