onsemi P-Kanal, MOSFET, 2,8 A 20 V, 8 ben, ChipFET NTHS5441G
- RS-varenummer:
- 805-1905P
- Producentens varenummer:
- NTHS5441T1G
- Brand:
- onsemi
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 805-1905P
- Producentens varenummer:
- NTHS5441T1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 2, 8 A | |
| Drain source spænding maks. | 20 V | |
| Kapslingstype | ChipFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. | 83 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. | 1.3 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -12 V, +12 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 9, 7 nC ved 4, 5 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 3.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 2, 8 A | ||
Drain source spænding maks. 20 V | ||
Kapslingstype ChipFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. 83 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. 1.3 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -12 V, +12 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 1.7mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 9, 7 nC ved 4, 5 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 3.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||