onsemi 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 4.7 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 806-3630P
- Producentens varenummer:
- FDS3890
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 149,74
(ekskl. moms)
Kr. 187,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.860 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 95 | Kr. 14,974 |
| 100 - 245 | Kr. 12,208 |
| 250 - 495 | Kr. 11,848 |
| 500 + | Kr. 10,068 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 806-3630P
- Producentens varenummer:
- FDS3890
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 82mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.74V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Højde | 1.575mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.9mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 82mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.74V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Højde 1.575mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.9mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.