onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 830 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-89, PowerTrench Nej FDY1002PZ

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 22,00

(ekskl. moms)

Kr. 27,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.425 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 0,88Kr. 22,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
807-0713
Producentens varenummer:
FDY1002PZ
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

830mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SC-89

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

1.8Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

625mW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.2nC

Gennemgangsspænding Vf

-1V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.2 mm

Højde

0.6mm

Længde

1.7mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links