onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 6.7 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 809-0884P
- Producentens varenummer:
- FDD4243
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 357,50
(ekskl. moms)
Kr. 446,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- Plus 1.580 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 3,575 |
| 250 - 490 | Kr. 3,104 |
| 500 - 990 | Kr. 2,723 |
| 1000 + | Kr. 2,476 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 809-0884P
- Producentens varenummer:
- FDD4243
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 69mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.86V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 69mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.86V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Automotive P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tilbyder løsninger, der tager komplekse udfordringer på bilmarkedet op. Med en fuldkommen beherskelse af standarder inden for kvalitet, sikkerhed og pålidelighed.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.