onsemi N-Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 809-0950P
- Producentens varenummer:
- FDD8870
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 24%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 79,74
(ekskl. moms)
Kr. 99,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.245 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 95 | Kr. 7,974 | - |
| 100 - 245 | Kr. 6,014 | 24% |
| 250 - 495 | Kr. 5,82 | 27% |
| 500 + | Kr. 5,116 | 35% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 809-0950P
- Producentens varenummer:
- FDD8870
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 160A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0039Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 91nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 160A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0039Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 91nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Automotive N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tilbyder løsninger, der tager komplekse udfordringer på bilmarkedet op. Med en fuldkommen beherskelse af standarder inden for kvalitet, sikkerhed og pålidelighed.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.