Vishay 2 Type P, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 135 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-89-6, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 812-3029P
- Producentens varenummer:
- SI1025X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 443,60
(ekskl. moms)
Kr. 554,40
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 200 - 480 | Kr. 2,218 |
| 500 - 980 | Kr. 2,065 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,773 |
| 2000 + | Kr. 1,388 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3029P
- Producentens varenummer:
- SI1025X-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 135mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SC-89-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.4V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 600μm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bredde | 1.2mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 135mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SC-89-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.4V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 600μm | ||
Længde 1.7mm | ||
Bredde 1.2mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH