Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.1 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 812-3108P
- Producentens varenummer:
- SI1967DH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (250 enheder, leveres på en rulle)*
Kr. 561,75
(ekskl. moms)
Kr. 702,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 150 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 250 - 450 | Kr. 2,247 |
| 500 - 1200 | Kr. 2,10 |
| 1250 - 2450 | Kr. 1,801 |
| 2500 + | Kr. 1,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3108P
- Producentens varenummer:
- SI1967DH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 790mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 790mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay TrenchFET seriens Power MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI1967DH-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en overflademonteret P-kanal-transistor, der er beregnet til lavspændingsswitching og analoge funktioner i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer som en forstærkningsenhed og er designet til at blive integreret, hvor der kræves isoleret transistorkonfiguration og beskeden kontinuerlig strømhåndtering. Komponenten leveres i en lille SC-88-pakke, der er velegnet til tætte layouts.
Egenskaber og fordele:
• 20 V drain-source-klassificering muliggør lavspændingsswitching
• 1,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabile belastninger
• 790 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab
• 2,6 nC typisk gate-ladning giver mulighed for hurtigere gate-overgange
• 1.25 W effekttab tåler moderat termisk belastning
• 1,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabile belastninger
• 790 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab
• 2,6 nC typisk gate-ladning giver mulighed for hurtigere gate-overgange
• 1.25 W effekttab tåler moderat termisk belastning
Anvendelser
• Velegnet til batteribeskyttelseskredsløb i bærbart udstyr
• Ideel til belastningsswitching i kompakte strømmoduler
• Anvendes sammen med niveauskifttrin i analoge frontender
• Kan bruges til 2-kanals omskiftning i trange pladsforhold til printkort
• Ideel til belastningsswitching i kompakte strømmoduler
• Anvendes sammen med niveauskifttrin i analoge frontender
• Kan bruges til 2-kanals omskiftning i trange pladsforhold til printkort
Hvilken monteringstype kræves der til montering?
Den er beregnet til overflademontering på standard lodbare puder, der er kompatible med SC-88-fodaftryk.
Hvor mange aktive transistorelementer indeholder den?
Enheden indeholder to elementer pr. chip, hvilket muliggør dobbeltfunktion eller komplementær routing i design.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?
Den maksimale mærkespænding fra gate til kilde er 8 V, som ikke må overskrides for at undgå enhedsbelastning.
Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?
Den er specificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C og passer til en lang række miljøforhold.