Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRLI
- RS-varenummer:
- 813-0711
- Producentens varenummer:
- IRLIZ44GPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 128,81
(ekskl. moms)
Kr. 161,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 25,762 | Kr. 128,81 |
| 50 - 120 | Kr. 24,22 | Kr. 121,10 |
| 125 - 245 | Kr. 23,188 | Kr. 115,94 |
| 250 - 495 | Kr. 20,614 | Kr. 103,07 |
| 500 + | Kr. 19,314 | Kr. 96,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 813-0711
- Producentens varenummer:
- IRLIZ44GPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IRLI | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 39mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 15.9mm | |
| Længde | 10.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IRLI | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 39mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 15.9mm | ||
Længde 10.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-220, IRLI
- Vishay Type N-Kanal 9.9 A 200 V Forbedring TO-220, IRLI
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- onsemi Type N-Kanal 70 A 60 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-220, MTP3055VL
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- ROHM Type N-Kanal 105 A 60 V Forbedring TO-220, RX3G18BBG