DiodesZetex 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 1.38 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 822-2510P
- Producentens varenummer:
- DMG1024UV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 600 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 1.083,60
(ekskl. moms)
Kr. 1.354,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 600 - 1450 | Kr. 1,806 |
| 1500 + | Kr. 1,605 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 822-2510P
- Producentens varenummer:
- DMG1024UV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 530mW | |
| Portkildespænding maks. | 6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 736.6nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.6mm | |
| Bredde | 1.25mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Længde | 1.7mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 530mW | ||
Portkildespænding maks. 6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 736.6nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.6mm | ||
Bredde 1.25mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Længde 1.7mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN