DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 823-2930
- Producentens varenummer:
- DMN2065UW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 39,50
(ekskl. moms)
Kr. 49,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 29.600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 0,395 | Kr. 39,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 823-2930
- Producentens varenummer:
- DMN2065UW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 700mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 700mW | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 12 V til 28 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 3.1 A 20 V Forbedring SC-70, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 11 A 12 V Forbedring SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 380 mA 30 V Forbedring SC-89, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.1 A 30 V Forbedring SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 230 mA 20 V Forbedring SC-89, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 380 mA 30 V Forbedring SC-89, DMN AEC-Q101 DMN313DLT-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 11 A 12 V Forbedring SC-59, DMN AEC-Q101 DMN1019USN-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 230 mA 20 V Forbedring SC-89, DMN AEC-Q101 DMN26D0UT-7