Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 825-9089
- Producentens varenummer:
- BSZ0904NSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (20 enheder, i en pakke med 20)*
Kr. 80,84
(ekskl. moms)
Kr. 101,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.940 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 4,042 | Kr. 80,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 825-9089
- Producentens varenummer:
- BSZ0904NSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.56V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.5nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.56V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.5nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™ mosfet serien
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
N-kanal - forbedringstilstand
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grøn pakke (blyfri)
Ultra lav Rds(til)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 40 A 25 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 126 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 114 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3