Infineon N-Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 826-9002P
- Producentens varenummer:
- IPB17N25S3100ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 292,62
(ekskl. moms)
Kr. 365,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Plus 780 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 + | Kr. 14,631 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9002P
- Producentens varenummer:
- IPB17N25S3100ATMA1
- Brand:
- Infineon
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 107W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10mm | |
| Bredde | 9.25mm | |
| Højde | 4.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 107W | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10mm | ||
Bredde 9.25mm | ||
Højde 4.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS-T seriens MOSFET, 250 V maksimal drain source-spænding, 17 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPB17N25S3100ATMA1
Egenskaber og fordele:
• 17 A kontinuerlig drænstrøm, der understøtter betydelige belastningsstrømme
• 100 mΩ maks. RDS(on) reducerer ledningstab i effekttrin
• 14 nC typisk gate-ladning for effektiv omskiftningskontrol
• 0,9 V føringsspændingssænkende diode konduktionsfald
• 107 W maks. effekttab muliggør drift med høj effekt
Anvendelser
• Ideel til motordrevne halvbroer i bilelektronik
• Anvendes sammen med strømstyringsmoduler i industrielle forsyninger
• Kan bruges til primære kontakter til switch-mode strømforsyning
