Infineon N-Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 827-4004P
- Producentens varenummer:
- IRFP250MPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 827-4004P
- Producentens varenummer:
- IRFP250MPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 75mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 123nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bredde | 5.2mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 75mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 123nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 16.13mm | ||
Bredde 5.2mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 30A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 214W maksimal effektafledning - IRFP250MPBF
Denne N-kanal MOSFET er designet til høj ydeevne og effektivitet i en lang række applikationer. Den har en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 30 A og en drain-source-spænding på 200 V, hvilket gør den velegnet til opgaver i automations- og elektronikbranchen. Dens design sikrer en effektiv termisk ydeevne, hvilket forbedrer dens anvendelse i den elektriske og mekaniske industri.
Egenskaber og fordele
• Dynamisk dv/dt-klassificering sikrer stabilitet under drift
• Forbedrede termiske egenskaber med en driftstemperatur på op til 175 °C
• Lav on-modstand reducerer strømtab
• Fuldt lavinegodkendt, hvilket giver overspændingsbeskyttelse
• Enkle krav til drev for lettere integration i design
Anvendelsesområder
• Velegnet til højfrekvente skift
• Ideel til strømforsyninger og omformere
• Kan anvendes i motorstyringssystemer og industrielle drev
• Anvendes i systemer til vedvarende energi, f.eks. solcelleinvertere
Hvordan styres den termiske ydeevne i krævende miljøer?
De termiske modstandsegenskaber er designet til effektiv varmeafledning, hvilket muliggør drift fra -55 °C til +175 °C.
Hvad er konsekvenserne af den lave Rds(on)?
Den lave on-modstand resulterer i lavere strømspild under ledning, hvilket forbedrer den samlede systemeffektivitet og reducerer den termiske belastning på komponenterne.
Kan denne enhed bruges til parallelle konfigurationer?
Ja, designet gør det muligt at parallelkoble, øge strømkapaciteten og forbedre den termiske ydeevne i applikationer med høj effekt.
Hvad skal man være opmærksom på, når man vælger gate-drive-spændingen?
En gate-drive-spænding mellem 2V og 4V er optimal for at sikre tilstrækkelig skifteydelse og forhindre uønsket drift.
Hvilke foranstaltninger er der truffet for at beskytte mod overspænding?
MOSFET'en er fuldt avalanche-klassificeret, hvilket beskytter mod forbigående overspændinger og sikrer pålidelig drift under svingende forhold.