Texas Instruments Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SON, NexFET Nej CSD18504Q5A
- RS-varenummer:
- 827-4883P
- Producentens varenummer:
- CSD18504Q5A
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 346,30
(ekskl. moms)
Kr. 432,875
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.420 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 13,852 |
| 50 - 120 | Kr. 12,536 |
| 125 - 245 | Kr. 11,206 |
| 250 + | Kr. 10,712 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-4883P
- Producentens varenummer:
- CSD18504Q5A
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SON | |
| Serie | NexFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5 mm | |
| Længde | 5.8mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SON | ||
Serie NexFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5 mm | ||
Længde 5.8mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-transistorer, Texas Instruments
Relaterede links
- Texas Instruments Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SON, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SON, NexFET Nej CSD18504Q5A
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SON, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 73 A 30 V Forbedring SON, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 5 A 25 V Forbedring SON, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring SON, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 134 A 60 V Forbedring SON, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 73 A 30 V Forbedring SON, NexFET Nej CSD17307Q5A