Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 14.9 A 20 V Forbedring, 8 Ben, DSO, OptiMOS P
- RS-varenummer:
- 827-5356P
- Producentens varenummer:
- BSO201SPHXUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (10 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 103,22
(ekskl. moms)
Kr. 129,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 190 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 + | Kr. 10,322 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-5356P
- Producentens varenummer:
- BSO201SPHXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Emballagetype | DSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Portkildespænding maks. | -12V, +12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.65mm | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Emballagetype DSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Portkildespænding maks. -12V, +12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.65mm | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.