Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 120 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, TK
- RS-varenummer:
- 827-6191
- Producentens varenummer:
- TK32E12N1,S1X(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 50,49
(ekskl. moms)
Kr. 63,11
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,098 | Kr. 50,49 |
| 50 - 95 | Kr. 9,096 | Kr. 45,48 |
| 100 - 245 | Kr. 8,646 | Kr. 43,23 |
| 250 - 495 | Kr. 7,66 | Kr. 38,30 |
| 500 + | Kr. 7,196 | Kr. 35,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-6191
- Producentens varenummer:
- TK32E12N1,S1X(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 98W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.16mm | |
| Højde | 15.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie TK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 98W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.16mm | ||
Højde 15.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET, N-kanal, TK3x serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 120 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba N-Kanal 60 A 120 V TO-220S1X(S
- Toshiba Type N-Kanal 72 A 120 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 42 A 120 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 56 A 120 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-220, TK