STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2
- RS-varenummer:
- 829-1459
- Producentens varenummer:
- STP28N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 50,12
(ekskl. moms)
Kr. 62,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 984 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 25,06 | Kr. 50,12 |
| 10 - 18 | Kr. 23,825 | Kr. 47,65 |
| 20 - 48 | Kr. 21,505 | Kr. 43,01 |
| 50 - 98 | Kr. 19,26 | Kr. 38,52 |
| 100 + | Kr. 18,325 | Kr. 36,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 829-1459
- Producentens varenummer:
- STP28N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics
Et udvalg af højspændings power MOSFET fra STMicroelecronics. Med deres lave gate-ladning og fremragende udgangsegenskaber, er MDmesh M2 serien perfekt til brug i resonante switching strømforsyninger (LLC konvertere).