Infineon N-Kanal, MOSFET, 2.8 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- RS-varenummer:
- 830-3307P
- Producentens varenummer:
- IRLL014NTRPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 6%
Se mængderabatterIndhold 125 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 411,00
(ekskl. moms)
Kr. 513,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.975 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 125 - 225 | Kr. 3,288 | - |
| 250 - 600 | Kr. 3,076 | 6% |
| 625 - 1225 | Kr. 2,86 | 13% |
| 1250 + | Kr. 2,355 | 28% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 830-3307P
- Producentens varenummer:
- IRLL014NTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +16V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.7mm | |
| Højde | 1.739mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. -16V, +16V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.7mm | ||
Højde 1.739mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 2,8 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2,1 W maksimal effektafledning - IRLL014NTRPBF
Denne MOSFET fra Infineon, som er en del af HEXFET-familien, er konstrueret til høj ydeevne i forskellige elektriske og elektroniske applikationer. Som en N-kanals enhed, der arbejder i enhancement mode, spiller den en vigtig rolle i strømstyring for enheder, der kræver høj pålidelighed under udfordrende forhold. Avancerede teknologier er integreret for at kunne håndtere store elektriske belastninger effektivt og samtidig bevare et kompakt design.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 2,8 A for pålidelig ydelse
• Bredt spændingsområde op til 55V til forskellige anvendelser
• Lav drain-source on-resistance på 280mΩ minimerer effekttab
• Høj termisk stabilitet med en maksimal driftstemperatur på +150 °C
• Forbedrede muligheder for gate-tærskelspænding for at forbedre koblingsevnen
• Designet til overflademontering, hvilket letter PCB-integrationen
Anvendelsesområder
• Anvendes i automatiseringssystemer til effektiv motorstyring
• Anvendes i strømforsyningskredsløb til effektiv spændingsregulering
• Velegnet til at skifte i elektroniske apparater
• Integreret i batteristyringssystemer for optimeret energiforbrug
• Kan anvendes i LED-drivere for at forbedre styringseffektiviteten
Hvad er den anbefalede monteringsteknik for at opnå optimal ydelse?
Brug af overflademonteringsteknikker sikrer forbedret termisk ydeevne og pladseffektivitet på printkort.
Hvordan skal man tage højde for den maksimale gate-source-spænding, når man designer kredsløb?
Det er vigtigt at holde gate-source-spændingen inden for de specificerede grænser på -16V til +16V for at sikre enhedens integritet og ydeevne.
Kan denne komponent klare høje temperaturer i driftsmiljøer?
Den er klassificeret til drift i miljøer op til +150 °C, hvilket gør den velegnet til applikationer med høje temperaturer.
Er den kompatibel med lavspændingsbatterisystemer?
Ja, den kan håndtere lavspændingsapplikationer, samtidig med at den giver effektiv strømstyring og skifteeffektivitet.