Infineon N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 831-2831P
- Producentens varenummer:
- IRF540NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 123,49
(ekskl. moms)
Kr. 154,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 31.110 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 + | Kr. 12,349 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 831-2831P
- Producentens varenummer:
- IRF540NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 44mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 71nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 130W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 44mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 71nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 130W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 33A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 130W maksimal effektafledning - IRF540NSTRLPBF
Denne højeffekt-MOSFET er designet til effektivitet og pålidelighed i en lang række applikationer. Den har en N-kanalskonfiguration og fungerer i enhancement mode med en maksimal kontinuerlig drainstrøm på 33A og en nedbrydningsspænding på 100V. Dens overflademonterede design giver mulighed for enkel integration i printkort, hvilket øger alsidigheden i moderne applikationer.
Egenskaber og fordele
• Lav Rds(on) på 44mΩ forbedrer kredsløbets effektivitet
• Høj effektafledningskapacitet på 130 W understøtter robuste anvendelser
• Hurtig skiftehastighed minimerer energitab under drift
• Bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C passer til forskellige miljøer
• Blyfri konstruktion overholder moderne miljøstandarder
Anvendelsesområder
• Strømstyring i automatiseringssystemer
• Højeffektive strømforsyninger til elektronik
• Motorstyring i elektroteknik
• Vedvarende energisystemer til effektiv energiomdannelse
Hvad er den maksimale gate-to-source-spænding for denne enhed?
Den maksimale gate-to-source-spænding er ±20V, hvilket giver mulighed for sikker drift i typiske kredsløb.
Hvordan håndterer denne enhed varmestyring?
Med en maksimal effektafledning på 130 W og en termisk modstand mellem forbindelsen og kabinettet på 1,15 °C/W håndterer den effektivt varmen under drift.
Hvad er den typiske gate-ladning ved 10V?
Den typiske gate-ladning ved en gate-to-source-spænding på 10V er 71 nC, hvilket sikrer hurtige responstider i switching-applikationer.
Kan denne enhed monteres på standardprintkort?
Ja, den er designet i en D2PAK-pakke, hvilket gør den velegnet til overflademontering på standard PCB-layouts.
Hvad er betydningen af enhancement mode i denne MOSFET?
Forbedringstilstanden giver mulighed for større kontrol over ledningstilstanden, hvilket giver forbedret ydeevne i switching-applikationer.