onsemi N-Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Forbedring, 8 Ben, MLP, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 864-4891
- Producentens varenummer:
- FDMC3612
- Brand:
- onsemi
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 10.386,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.984,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,462 | Kr. 10.386,00 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
(Leveres i pakke af 5)
Kr. 25,26
(ekskl. moms)
Kr. 31,58
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 864-4891
- Producentens varenummer:
- FDMC3612
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | MLP | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 212mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype MLP | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 212mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Bredde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, 10 A til 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.