STMicroelectronics Type P-Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- RS-varenummer:
- 876-5685
- Producentens varenummer:
- STL42P6LLF6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 107,71
(ekskl. moms)
Kr. 134,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 10,771 | Kr. 107,71 |
| 50 - 90 | Kr. 10,225 | Kr. 102,25 |
| 100 - 240 | Kr. 9,215 | Kr. 92,15 |
| 250 - 490 | Kr. 8,288 | Kr. 82,88 |
| 500 + | Kr. 7,869 | Kr. 78,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 876-5685
- Producentens varenummer:
- STL42P6LLF6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 34mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 34mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .