Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 3,5 A 12 V, 6 ben, DSBGA, NexFET CSD13306WT
- RS-varenummer:
- 900-9927P
- Producentens varenummer:
- CSD13306WT
- Brand:
- Texas Instruments
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 900-9927P
- Producentens varenummer:
- CSD13306WT
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 3, 5 A | |
| Drain source spænding maks. | 12 V | |
| Kapslingstype | DSBGA | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. | 15, 5 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Effektafsættelse maks. | 1, 9 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -10 V, +10 V | |
| Længde | 1mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 8, 6 nC ved 0 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 1.49mm | |
| Højde | 0.28mm | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | NexFET | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 3, 5 A | ||
Drain source spænding maks. 12 V | ||
Kapslingstype DSBGA | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. 15, 5 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Effektafsættelse maks. 1, 9 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -10 V, +10 V | ||
Længde 1mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 8, 6 nC ved 0 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 1.49mm | ||
Højde 0.28mm | ||
Gennemgangsspænding for diode 1V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Serie NexFET | ||