Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 20 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 860,90

(ekskl. moms)

Kr. 1.076,12

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 850 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
20 - 48Kr. 43,045
50 - 98Kr. 41,215
100 - 198Kr. 36,65
200 +Kr. 34,335

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
903-4490P
Producentens varenummer:
SiHF30N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

125mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

85nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

37W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.63mm

Bredde

4.83 mm

Højde

16.12mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, E-serien, lavt Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor


E-serien Power MOSFET'er fra Vishay er højspændingstransistorer med meget lav maksimal modstand ved tændt, lav figure-of-merit og hurtigt skift. De findes i et bredt udvalg af mærkestrømme. Typiske anvendelser omfatter servere og strømforsyninger til telekommunikation, LED-belysning, flyback-konvertere, effektfaktorkorrektion (PFC) og switch-mode strømforsyninger (SMPS).

Funktioner


Lavt figure-of-Merit (FOM) RDS(on) x Qg

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Lav modstand ved tændt (RDS(on))

Meget lav portopladning (Qg)

Hurtigt skift

Færre skift og ledningstab

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links