STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 956,30

(ekskl. moms)

Kr. 1.195,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.195 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 120Kr. 19,126
125 +Kr. 15,678

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-2776P
Producentens varenummer:
STD4NK100Z
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.2A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

TO-252

Serie

MDmesh, SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6.8Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Effektafsættelse maks. Pd

90W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.2mm

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.