STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- RS-varenummer:
- 906-2855P
- Producentens varenummer:
- STL90N6F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 500 flere for at gemme Kr. 720,00
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 708,60
(ekskl. moms)
Kr. 885,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.670 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 7,086 | - |
| 500 - 990 | Kr. 5,646 | Kr. 720,00 |
| 1000 - 2990 | Kr. 5,506 | Kr. 1.580,00 |
| 3000 + | Kr. 5,44 | Kr. 4.938,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-2855P
- Producentens varenummer:
- STL90N6F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Højde | 950μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STripFET F7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.35mm | ||
Højde 950μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7-serien af lavspændings-MOSFET'er har lavere on-state-modstand med reduceret intern kapacitet og gate-opladning for hurtigere og mere effektiv kobling.