Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P

Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 137,33

(ekskl. moms)

Kr. 171,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.610 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
10 +Kr. 13,733

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4309P
Producentens varenummer:
BSC030P03NS3GAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

OptiMOS P

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

140nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gennemgangsspænding Vf

-1.1V

Portkildespænding maks.

-25V, +25V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Bredde

5.35mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC030P03NS3GAUMA1


Denne MOSFET er en effekt-switching-transistor, der er designet til overflademonterede anvendelser, der kræver høj strømstyrke og termisk område. Den fungerer som en P-kanal-forbedringsenhed til styring af strømskinner og koblingstrin i krævende miljøer og giver en balance mellem koblingsevne og kontinuerlig strømkapacitet over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:


• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør omskiftning med høj belastning
• 125 W maks. effekttab understøtter kraftige termiske belastninger
• 4.6 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 30 V maks. Vds muliggør styring af mellemspændings-effektskinne
• 140 nC typisk gate-ladning balancerer drivkraft og skiftehastighed
• 25 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener

Anvendelser


• Velegnet til strømfordelingsmoduler med høj strømstyrke
• Ideel til synkron ensretning i forsyninger
• Anvendes sammen med batteristyring og strømkonverteringssystemer
• Kan bruges til low-side-kobling af motordrev
• Anvendes til termisk belastningselektronik over brede temperaturer

Hvilken hustype skal jeg planlægge for på printkortet?


Den leveres i en 8-benet TDSON-pakke til overflademontering, der kræver et fodaftryk, der matcher en 8-benet varmepude og omgivende jord for lodning og varmeoverførsel.

Hvordan påvirker den omgivende temperatur den tilladte drift?


Den er beregnet til drift fra -55 °C op til 150 °C og opretholder funktionaliteten under ekstreme kulde- og høje forbindelsesforhold, selvom termisk styring bestemmer dynamiske strømgrænser.

Hvilke hensyn til gate-driver er vigtige for switching-ydeevnen?


Forvent en typisk samlet gate-ladning på 140 nC, som informerer driverstørrelsen

skal driverne levere tilstrækkelig strøm til at skifte inden for de ønskede overgangstider, samtidig med at den maksimale gate-source-klassificering på 25 V overholdes.

Hvilke egenskaber for fremadgående spænding påvirker omvendt ledningsevne?


Enheden har en fremadgående spænding på -1,1 V under ledning i den relevante retning, hvilket påvirker ledningstab i frie hjul eller synkrone konfigurationer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.