Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 3

Se alle MOSFET

Indhold 2 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 76,67

(ekskl. moms)

Kr. 95,838

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.598 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
2 +Kr. 38,335

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4356P
Producentens varenummer:
IPT020N10N3ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSOF

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

156nC

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.58mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.