Infineon N-Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5

Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 117,66

(ekskl. moms)

Kr. 147,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.430 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
10 +Kr. 11,766

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4491P
Producentens varenummer:
IPD053N06NATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

-20, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22mm

Længde

6.73mm

Højde

2.41mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 45 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD053N06NATMA1


Denne MOSFET er en N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til omskiftning med høj strøm i overflademonterede strømforsyningsenheder. Den fungerer over et bredt omgivende område til krævende termiske miljøer og er beregnet til anvendelser, hvor lave ledningstab og hurtig omskiftning er påkrævet. Enheden understøtter standard drivspændinger og giver en kontrolleret fremadgående ledningskarakteristik, der er velegnet til moderne strømkonverterings- og motordrevtopologier.

Egenskaber og fordele:


• 8 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab og forbedrer effektiviteten
• 45 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter højstrømsdesign
• 27 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 83 W maks. effekttab muliggør drift med høj effekt
• 20 V gate-tolerance passer til almindelige gate-driver-skemaer

Anvendelser


• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til halvbroer til 3-fasede motoromformere
• Anvendes sammen med batteristyringssystemer i stier med høj strømstyrke
• Kan bruges til DC-DC-konvertering i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til belastningsskift i industrielle automatiseringsenheder

Hvilke hensyn til gate-drev påvirker koblingens ydeevne?


At drive porten mod 20 V-grænsen reducerer modstanden ved tænding, men øger koblingstab

at vælge en driver, der balancerer spænding og stigehastighed, optimerer effektivitet og elektromagnetisk adfærd.

Hvordan skal termiske forhold styres for kontinuerlig drift?


Med en dissipationsværdi på 83 W skal kølelegeme- og printkobberarealet dimensioneres for at opretholde forbindelsestemperaturer inden for enhedens driftsområde på -55 °C til 175 °C for pålidelig langtidsdrift.

Hvilke mekaniske begrænsninger påvirker printkortlayout for denne enhed?


TO-252-pakken til overflademontering kræver opmærksomhed på underlagsgeometri og termiske ledninger for at overføre varme fra den lodbare pakkebase til kortets termiske planer.

Hvordan påvirker fremadgående spænding ledningsberegninger?


En typisk fremadgående spænding på 1,2 V skal medtages ved beregning af spændingsfald og effekttab i ledningsintervaller, især under høje strømforhold.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.