STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET F7
- RS-varenummer:
- 906-4680P
- Producentens varenummer:
- STP100N6F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 500 flere for at gemme Kr. 37,00
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 602,50
(ekskl. moms)
Kr. 753,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.180 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 6,025 | - |
| 500 - 990 | Kr. 5,951 | Kr. 37,00 |
| 1000 - 1990 | Kr. 5,88 | Kr. 145,00 |
| 2000 + | Kr. 5,81 | Kr. 430,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-4680P
- Producentens varenummer:
- STP100N6F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET F7 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7-serien af lavspændings-MOSFET'er har lavere on-state-modstand med reduceret intern kapacitet og gate-opladning for hurtigere og mere effektiv kobling.